半导体/封装行业-半导体刻蚀机

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应用领域

  • 功率半导体器件(Power Devices)制造刻蚀工艺
  • 射频滤波器器件(RF Filters)材料去除
  • MEMS 微机电系统制造工艺
  • LED 半导体器件刻蚀
  • 半导体先进封装工艺中晶圆材料刻蚀

 

 

设备特性

1.主流干法刻蚀技术
干法等离子刻蚀为主,精确控制刻蚀深度与边缘轮廓,适应高精度工艺。

2.可选湿法化学刻蚀
特定工艺可采用湿法刻蚀,适应厚膜或大面积去除需求。

3.单片处理结构
单晶圆处理,保证每片晶圆刻蚀均匀性和工艺可重复性。

4.工艺可控性强
温控、气体流量、等离子功率或化学浓度可精确调节,实现稳定刻蚀工艺。

5.药液/气体管理
湿法刻蚀药液可回收循环,干法刻蚀气体流量稳定,确保安全与环保。

6.模块化维护设计
腔体、泵浦、气路和喷淋模块可快速拆卸和更换,降低维护成本。

 

技术规格

项目

参数

适用晶圆尺寸

50 – 300 mm

晶圆类型

Silicon / SiC / GaN 等半导体晶圆

设备类型

单片处理设备

工艺模式

干法等离子刻蚀为主,可选湿法化学刻蚀

腔体配置

三腔结构:刻蚀 / 清洗 / 干燥

温度控制

20 – 80 ℃(可调 ±1 ℃)

气体流量 / 压力

精密控制,可调

药液管理

湿法刻蚀药液可回收循环

旋转控制

单晶圆旋转(如适用)

产能

20–40 WPH(视工艺而定)

洁净环境

兼容 Class 100 / Class 1000 洁净室

控制系统

PLC + Touch Screen


  

  

 

产品详情