▍应用领域
- 功率半导体器件(Power Devices)制造刻蚀工艺
- 射频滤波器器件(RF Filters)材料去除
- MEMS 微机电系统制造工艺
- LED 半导体器件刻蚀
- 半导体先进封装工艺中晶圆材料刻蚀
▍设备特性
1.主流干法刻蚀技术
干法等离子刻蚀为主,精确控制刻蚀深度与边缘轮廓,适应高精度工艺。
2.可选湿法化学刻蚀
特定工艺可采用湿法刻蚀,适应厚膜或大面积去除需求。
3.单片处理结构
单晶圆处理,保证每片晶圆刻蚀均匀性和工艺可重复性。
4.工艺可控性强
温控、气体流量、等离子功率或化学浓度可精确调节,实现稳定刻蚀工艺。
5.药液/气体管理
湿法刻蚀药液可回收循环,干法刻蚀气体流量稳定,确保安全与环保。
6.模块化维护设计
腔体、泵浦、气路和喷淋模块可快速拆卸和更换,降低维护成本。
▍技术规格
|
项目 |
参数 |
|
适用晶圆尺寸 |
50 – 300 mm |
|
晶圆类型 |
Silicon / SiC / GaN 等半导体晶圆 |
|
设备类型 |
单片处理设备 |
|
工艺模式 |
干法等离子刻蚀为主,可选湿法化学刻蚀 |
|
腔体配置 |
三腔结构:刻蚀 / 清洗 / 干燥 |
|
温度控制 |
20 – 80 ℃(可调 ±1 ℃) |
|
气体流量 / 压力 |
精密控制,可调 |
|
药液管理 |
湿法刻蚀药液可回收循环 |
|
旋转控制 |
单晶圆旋转(如适用) |
|
产能 |
20–40 WPH(视工艺而定) |
|
洁净环境 |
兼容 Class 100 / Class 1000 洁净室 |
|
控制系统 |
PLC + Touch Screen |
产品详情