▍应用领域
- 功率半导体器件(Power Devices)制造去胶工艺
- 射频滤波器器件(RF Filters)光刻胶去除
- MEMS 微机电系统制造工艺
- LED 半导体器件光刻胶剥离
- 半导体先进封装工艺中的光刻胶去除
▍设备特性
1.高效去胶能力
采用溶剂浸泡与高压喷射组合工艺,可有效去除厚胶及顽固光刻胶残留。
2.多腔体工艺结构
标准三腔结构(浸泡 / 剥离 / 清洗),实现稳定连续的去胶处理流程。
3.高压喷射去胶技术
高压去胶压力最高可达 16 MPa,显著提升光刻胶剥离效率。
4.超声辅助去胶
配备超声波去胶系统,可增强溶剂渗透能力,提高去胶效果。
5.精准温控系统
NMP 溶剂加热温度可控,保证稳定的去胶工艺环境。
6.药液循环管理
工艺药液支持回收与循环过滤使用,降低化学品消耗并提升工艺稳定性。
▍技术规格
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项目 |
参数 |
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适用晶圆尺寸 |
50 – 300 mm |
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晶圆类型 |
Silicon / SiC / GaN 等半导体晶圆 |
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设备类型 |
单片旋转处理设备 |
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腔体配置 |
三腔结构:浸泡 / 剥离 / 清洗 |
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去胶方式 |
溶剂浸泡 + 高压喷射 + 超声辅助 |
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工艺药液 |
NMP 或同类溶剂 |
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NMP加热温度 |
30 – 90 ℃(±2 ℃) |
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高压去胶压力 |
最大 16 MPa |
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转速 |
最大 3000 RPM |
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转速精度 |
±1 RPM |
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清洗方式 |
DI Water 清洗 |
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药液管理 |
药液回收与循环过滤系统 |
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设备产能 |
20–40 WPH(视工艺而定) |
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洁净环境 |
兼容 Class 100 / Class 1000 洁净室 |
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控制系统 |
PLC + Touch Screen |
产品详情