半导体/封装行业-半导体晶圆去胶机

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应用领域

 

  • 功率半导体器件(Power Devices)制造去胶工艺
  • 射频滤波器器件(RF Filters)光刻胶去除
  • MEMS 微机电系统制造工艺
  • LED 半导体器件光刻胶剥离
  • 半导体先进封装工艺中的光刻胶去除

 

 

设备特性

1.高效去胶能力
采用溶剂浸泡与高压喷射组合工艺,可有效去除厚胶及顽固光刻胶残留。

2.多腔体工艺结构
标准三腔结构(浸泡 / 剥离 / 清洗),实现稳定连续的去胶处理流程。

3.高压喷射去胶技术
高压去胶压力最高可达 16 MPa,显著提升光刻胶剥离效率。

4.超声辅助去胶
配备超声波去胶系统,可增强溶剂渗透能力,提高去胶效果。

5.精准温控系统
NMP 溶剂加热温度可控,保证稳定的去胶工艺环境。

6.药液循环管理
工艺药液支持回收与循环过滤使用,降低化学品消耗并提升工艺稳定性。

 

技术规格

项目

参数

适用晶圆尺寸

50 – 300 mm

晶圆类型

Silicon / SiC / GaN 等半导体晶圆

设备类型

单片旋转处理设备

腔体配置

三腔结构:浸泡 / 剥离 / 清洗

去胶方式

溶剂浸泡 + 高压喷射 + 超声辅助

工艺药液

NMP 或同类溶剂

NMP加热温度

30 – 90 ℃(±2 ℃)

高压去胶压力

最大 16 MPa

转速

最大 3000 RPM

转速精度

±1 RPM

清洗方式

DI Water 清洗

药液管理

药液回收与循环过滤系统

设备产能

20–40 WPH(视工艺而定)

洁净环境

兼容 Class 100 / Class 1000 洁净室

控制系统

PLC + Touch Screen


  

  

 

产品详情